Обычное в необычном (Энциклопедия чудес. Книга первая)
Популярная библиотека химических элементов
Главный исполнительный директор корпорации Intel
Крейг Барретт родился 29 августа 1939 года в г. Сан-Франциско (шт. Калифорния). В 1957...64 гг. учился в знаменитом Стэнфордском университете (г. Пало-Альто, шт. Калифорния), где был удостоен ученых степеней бакалавра, магистра, а затем и доктора наук в области материаловедения. Защитив диссертацию, в течение последующих десяти лет д-р Барретт преподавал в Стэнфордском университете на факультете материаловедения и инженерных наук, впоследствии получив должность адъюнкт-профессора. В 1964...65 гг. он проходил стажировку в Национальной физической лаборатории Англии (финансировалась в рамках программы NATO Postdoctoral Fellow), а в 1972 году по стипендии фонда Фулбрайта работал в Датском техническом университете.
В 1974 году д-р Барретт перешел на работу в Intel. Последовательно занимал должности менеджера по развитию технологий, вице-президента (1984), старшего вице-президента (1987), исполнительного вице-президента (1990) корпорации. В 1992 году был избран в совет директоров Intel, в 1993 году занял пост главного директора по операциям. В мае 1997 года К. Барретт стал четвертым, с момента основания корпорации, президентом Intel, с мая 1998 года является также главным исполнительным директором компании.
В 1969 году д-р Барретт получил золотую медаль имени Харди, присуждаемую Американским институтом инженеров горной и металлургической промышленности. В настоящее время он состоит членом Национальной академии инженерных наук. Является автором более 40 технических статей по влиянию микроструктуры на свойства различных материалов, а также учебника по основам материаловедения, который был издан в 70-х гг. и до сих пор широко используется в американских университетах.
Крейг Барретт является членом государственного комитета США по обучению математике и естественным наукам в XXI веке, а также комитета по внешнеэкономической политике США в условиях глобализации XXI века.
К. Барретт является членом советов директоров корпорации Intel, компании Qwest Communications International Inc., Ассоциации полупроводниковой промышленности США и National Forest Foundation.
1969 г. | 3олотая медаль им. Харди, американский Институт инженеров горнодобывающей промышленности и металлургии. |
1997 г. | Почетная лекция и премия им. Гарри Гатоса, Массачусетский технологический институт. |
1997 г. | Премия «Исполнительный директор года» Совета 100 Старейшин, бизнес-колледж университета Аризоны. |
1997 г. | Премия «За выдающиеся достижения» Американо-ирландского фонда. |
1997 г. | Почетный доктор наук в области авиастроения, Авиатехнический университет Embry Riddle. |
1998 г. | Премия «За выдающиеся достижения в управлении производством», университет Южной Калифорнии. |
1998 г. | Почетный доктор наук, университет Аризоны. |
1998 г. | Премия «Darjah Yang Mulia Pangkuan Negri» (DMPN) (почетное звание «Датук») – высшая награда штата Пенанг (Малайзия). |
1999 г. | Назван в числе 25 выдающихся руководителей года журналом Business Week. |
1999 г. | Почетный доктор наук, Национальный технический университет, г. Лима (Перу). |
1999 г. | Медаль «За исключительное лидерство в управлении», Школа менеджмента Андерсона, Калифорнийский Университет в Лос-Анжелесе (UCLA). |
1999 г. | Медаль «За развитие технологий и управления», колледж инженерных наук и горнодобывающей промышленности, колледж бизнеса и управления, университет Аризоны. |
2000 г. | Медаль «За отличия в области инженерных наук», Аризонский университет. |
2000 г. | Медаль «За выдающиеся достижения в 2000 году», Silicon Valley Manufacturing Group. |
2001 г. | Медаль «Green Cross for Safety» Национального совета по безопасности. |
2001 г. | Почетный доктор наук, Филиппинский университет. |
2001 г. | Почетный профессор, университет Xi'an Jiaotong, г. Сиань (Китай). |
2001 г. | Медаль Герни Форда II «За лидерство в бизнесе», Национальная ассоциация бизнеса. |
2001 г. | Премия «За выдающиеся заслуги», Институт международного образования. |
2001 г. | Премия Akira Inoue за выдающиеся достижения в области охраны окружающей среды, здоровья и безопасности в полупроводниковой промышленности Международный институт полупроводниковых материалов и оборудования. |
Дата обновления:
29 декабря 2015 года
Электронная версия:
© НиТ. Совместные проекты, 1998