Перейти в начало сайта Перейти в начало сайта
Электронная библиотека «Наука и техника»
n-t.ru: Наука и техника
Начало сайта / Совместные проекты / Intel
Начало сайта / Совместные проекты / Intel

Научные статьи

Физика звёзд

Физика микромира

Журналы

Природа

Наука и жизнь

Природа и люди

Техника – молодёжи

Нобелевские лауреаты

Премия по физике

Премия по химии

Премия по литературе

Премия по медицине

Премия по экономике

Премия мира

Книги

Бермудский треугольник: мифы и реальность

Как люди научились летать

Крушение парадоксов

Парадокс XX века

У истоков дизайна

Физики продолжают шутить

Издания НиТ

Батарейки и аккумуляторы

Охранные системы

Источники энергии

Свет и тепло

Научно-популярные статьи

Наука сегодня

Научные гипотезы

Теория относительности

История науки

Научные развлечения

Техника сегодня

История техники

Измерения в технике

Источники энергии

Наука и религия

Мир, в котором мы живём

Лит. творчество ученых

Человек и общество

Образование

Разное

EUV-литография поможет Intel следовать закону Мура


Литография – технология плоской печати, используемая при изготовлении микросхем. Для увеличения плотности электронных компонентов производители полупроводниковых устройств вынуждены постоянно уменьшать их размер. Разработка технологии EUV-литографии вызвана тем, что в ближайшие годы возможности существующей технологии изготовления микросхем будут исчерпаны.

Аппарат EUV Micro Exposure Tool (MET) и установка пилотной производственной линии по нанесению EUV-масок позволят корпорации Intel изготавливать печатные схемы с разрешением до 30 нм и подготовиться к последующему переходу на 15 нм технологию на базе EUV-литографии. Минимальное разрешение, которое используется сегодня на производственных линиях Intel, составляет 50 нм.

«Мы планируем начать использовать технологию EUV-литографии для производства процессоров на базе 32 нм технологии в 2009 году, – говорит Кен Дэвид (Ken David), директор по исследованиям компонентов подразделения Technology and Manufacturing Group корпорации Intel. – Эта технология поможет нам следовать закону Мура и в следующем десятилетии».

Так же, как художнику нужны тонкие кисти для нанесения на картину тонких штрихов, производителям полупроводниковых устройств нужны все более короткие световые волны для печати миниатюрных схем. EUV-литография использует ультрафиолетовое излучение с длиной волны 13,5 нм. Это на порядок выше в сравнении с используемой сегодня длиной волны 193 нм. Устройство MET будет использоваться для решения двух ключевых задач в разработке технологии EUV-литографии: создания фоторезиста и изготовления шаблонов (масок).

Помимо установки аппарата MET, Intel развернула пилотную производственную линию EUV-масок. Она станет основой будущего производства масок, которым корпорация Intel планирует заняться самостоятельно. Пилотная линия интегрирует EUV-модули в используемый в корпорации Intel производственный процесс изготовления масок и включает первые в мире средства создания EUV-масок на промышленном уровне.

Установка аппарата MET и пилотной линии по нанесению EUV-масок знаменуют собой достижение важного рубежа, однако Intel продолжает активно вкладывать средства в разработку инфраструктуры и дополнительных средств, которые обеспечат готовность к началу массового производства на базе EUV-литографии в 2009 году. Стратегические инвестиции в научные исследования, технические разработки и совместные проекты с такими компаниями, как Cymer, Media Lario и NaWoTec, приближают внедрение технологии EUV-литографии.

 

Дата публикации:

11 августа 2004 года

Электронная версия:

© НиТ. Совместные проекты, 1998