Перейти в начало сайта Перейти в начало сайта
Электронная библиотека «Наука и техника»
n-t.ru: Наука и техника
Начало сайта / Совместные проекты / Intel
Начало сайта / Совместные проекты / Intel

Научные статьи

Физика звёзд

Физика микромира

Журналы

Природа

Наука и жизнь

Природа и люди

Техника – молодёжи

Нобелевские лауреаты

Премия по физике

Премия по химии

Премия по литературе

Премия по медицине

Премия по экономике

Премия мира

Книги

Во главе двух академий

Как мы видим то, что видим

Квантовый мир

Популярная информатика

Луи де Бройль. Революция в физике

Цепная реакция идей

Издания НиТ

Батарейки и аккумуляторы

Охранные системы

Источники энергии

Свет и тепло

Научно-популярные статьи

Наука сегодня

Научные гипотезы

Теория относительности

История науки

Научные развлечения

Техника сегодня

История техники

Измерения в технике

Источники энергии

Наука и религия

Мир, в котором мы живём

Лит. творчество ученых

Человек и общество

Образование

Разное

EUV-литография поможет Intel следовать закону Мура


Литография – технология плоской печати, используемая при изготовлении микросхем. Для увеличения плотности электронных компонентов производители полупроводниковых устройств вынуждены постоянно уменьшать их размер. Разработка технологии EUV-литографии вызвана тем, что в ближайшие годы возможности существующей технологии изготовления микросхем будут исчерпаны.

Аппарат EUV Micro Exposure Tool (MET) и установка пилотной производственной линии по нанесению EUV-масок позволят корпорации Intel изготавливать печатные схемы с разрешением до 30 нм и подготовиться к последующему переходу на 15 нм технологию на базе EUV-литографии. Минимальное разрешение, которое используется сегодня на производственных линиях Intel, составляет 50 нм.

«Мы планируем начать использовать технологию EUV-литографии для производства процессоров на базе 32 нм технологии в 2009 году, – говорит Кен Дэвид (Ken David), директор по исследованиям компонентов подразделения Technology and Manufacturing Group корпорации Intel. – Эта технология поможет нам следовать закону Мура и в следующем десятилетии».

Так же, как художнику нужны тонкие кисти для нанесения на картину тонких штрихов, производителям полупроводниковых устройств нужны все более короткие световые волны для печати миниатюрных схем. EUV-литография использует ультрафиолетовое излучение с длиной волны 13,5 нм. Это на порядок выше в сравнении с используемой сегодня длиной волны 193 нм. Устройство MET будет использоваться для решения двух ключевых задач в разработке технологии EUV-литографии: создания фоторезиста и изготовления шаблонов (масок).

Помимо установки аппарата MET, Intel развернула пилотную производственную линию EUV-масок. Она станет основой будущего производства масок, которым корпорация Intel планирует заняться самостоятельно. Пилотная линия интегрирует EUV-модули в используемый в корпорации Intel производственный процесс изготовления масок и включает первые в мире средства создания EUV-масок на промышленном уровне.

Установка аппарата MET и пилотной линии по нанесению EUV-масок знаменуют собой достижение важного рубежа, однако Intel продолжает активно вкладывать средства в разработку инфраструктуры и дополнительных средств, которые обеспечат готовность к началу массового производства на базе EUV-литографии в 2009 году. Стратегические инвестиции в научные исследования, технические разработки и совместные проекты с такими компаниями, как Cymer, Media Lario и NaWoTec, приближают внедрение технологии EUV-литографии.

 

Дата публикации:

11 августа 2004 года

Электронная версия:

© НиТ. Совместные проекты, 1998